Intel Solid-State Drive 670p Series - puolijohdeasema - 512GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) m.2 nvme SSD

Tuotekoodi: 3067140

Valmistajan koodi : SSDPEKNU512GZX1
EAN : 0675901866750

59,70 €

Hintamme sis. 24% alv

Myös rahoitus

Osamaksusopimukset noin: 13,44 €/kk, kun sopimusaika on 24 kk.

Saatavuus

Hyvä

0 kpl voidaan noutaa tai lähettää välittömästi

Saatavuus myymälässä Turku

0 kpl

toimitusaika 5-8 arkipäivää

Saatavuus Verkkokaupassa

13 kpl

toimitusaika 4-8 arkipäivää Keskusvarastolla varastoa

Toimitus ja Palautuskäytännöt

Toimituskulut

Alkaen 6,99 €

Toimitusaika

arvioitu 11.07.2024

Palautuskäytännöt

14 päivää

Tilaa enemmän, halvemmat toimituskulut

Tuotteen kuvaus

Valmistajan koodi : SSDPEKNU512GZX1
EAN : 0675901866750
Tuotteen nimi : Intel Solid-State Drive 670p Series - puolijohdeasema - 512GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) m.2 nvme SSD

Intel Solid-State Drive 670p Series
Puolijohdeasema
salattu
512 GB
sisäinen
M.2 2280
PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
AES 256 bittiä
Pakkauksen paino: 0,10 Kg
Katso lisää tuotetietoja
Performance, endurance and capacity - all in a single, affordable client drive
144-layer Intel QLC 3D NAND SSD
Low power to extend PC life

Tuotekuvaus   Intel Solid-State Drive 670p Series - puolijohdeasema - 512 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Tyyppi   Puolijohdeasema - sisäinen
Muistin koko   512 GB
Laitteistosalaus   Kyllä
Salausalgoritmi   AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi   3-D QLC-solu
Koko tai muoto   M.2 2280
Liitäntä   PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet   Smart Response Technology,End-to-end-tietosuoja,Rapid Start Technology
Ulkomitat (PxSxK)   22 mm x 80 mm
Valmistajan takuu   5 vuoden takuu

Tuotteen tekniset tiedot

Yleistä
Laitteen tyyppi   Puolijohdeasema - sisäinen
Muistin koko   512 GB
Laitteistosalaus   Kyllä
Salausalgoritmi   AES 256 bittiä
NAND flash-muistityyppi   3-D QLC-solu
Koko tai muoto   M.2 2280
Liitäntä   PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Ominaisuudet   Smart Response Technology,End-to-end-tietosuoja,Rapid Start Technology
Leveys   22 mm
Syvyys   80 mm
Suorituskyky
Puolijohdeaseman kestokyky   185 TB
Sisäinen tiedonsiirtonopeus   3000 MBps (luku) / 1600 MBps (kirjoitus)
4KB Random Read   110000 IOPS
4KB Random Write   315000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF)   1,600,000 tuntia
Ei-korjattavissa olevat virheet   1 per 10^15
Laajennus &Liitäntä
Liitännät   1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Yhteensopiva paikka   M.2 2280
Virransyöttö
Virrankulutus   80 mW (aktiivinen)
25 mW (joutokäynnillä)
Muuta
Pakkaustyyppi   Vähittäismyynti
Valmistajan takuu
Huolto ja tuki   Rajoitettu takuu - 5 vuotta
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila   0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila   70 °C
Iskunkestävyys (käytettäessä)   1000 g @ 0,5 ms
Iskunkestävyys (suljettuna)   1500 g @ 0,5 ms
Tärinätoleranssi (käytettäessä)   2.17 g @ 5-700 Hz
Tärinätoleranssi (suljettuna)   3.13 g @ 5-800 Hz